采用APD雪崩光电二极管，根据晶格内辐射吸收深度效应直接检测，实现直接检测α、β、γ和X射线辐射。或者通过测量闪烁晶体的辐射发光强度，间接检测α、β、γ和X射线辐射。六朋电子的X系列内置优化的APD雪崩光电二极管，即使在低反向电压下仍可形成大面积全耗尽空间电荷区，因此能够确保辐射的最大吸收。在高能射线辐射领域 CsI:TI闪烁晶体探测器
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采用APD雪崩光电二极管，根据晶格内辐射吸收深度效应直接检测，实现直接检测α、β、γ和X射线辐射。或者通过测量闪烁晶体的辐射发光强度，间接检测α、β、γ和X射线辐射。六朋电子的X系列内置优化的APD雪崩光电二极管，即使在低反向电压下仍可形成大面积全耗尽空间电荷区，因此能够确保辐射的最大吸收。在高能射线辐射领域 CsI:TI闪烁晶体探测器
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